Nanogestructureerd gate dielectric verhoogt de stabiliteit van organische dunnefilmtransistors

0

Een nanogestructureerd gate dielectric kan het belangrijkste obstakel hebben aangepakt om het gebruik van organische halfgeleiders voor dunnefilmtransistors uit te breiden. De structuur, samengesteld uit een fluorpolymeerlaag gevolgd door een nanolaminaat gemaakt van twee metaaloxidematerialen, dient als gate dielectric en beschermt tegelijkertijd de organische halfgeleider – die eerder kwetsbaar was voor schade door de omgeving – en stelt de transistors in staat te werken met ongekende stabiliteit. Lees verder

Share.

Reageer

CAPTCHA Image

Reload Image

Deze website gebruikt Akismet om spam te verminderen. Bekijk hoe je reactie-gegevens worden verwerkt.